TSMC, ведущий подрядчик по производству полупроводников на Тайване, с минимальным шумом объявила о начале массового производства чипов с использованием 2-нм техпроцесса (N2). Этот шаг знаменует собой важный этап в эволюции архитектуры транзисторов, который окажет влияние на широкий спектр технологий, включая смартфоны и дата-центры, работающие с ИИ.
Согласно официальной информации, N2 будет запущен в серийное производство в IV квартале 2025 года. Новая технология использует транзисторы с нанолистовой структурой, предоставляя значительный прирост в производительности и снижая энергопотребление. В сравнении с 3-нм процессом (N3E), N2 обещает увеличение производительности на 10-15% при том же уровне энергопотребления или снижение энергопотребления на 25-30% при равной производительности.
Ключевым моментом является переход от архитектуры FinFET к GAA-нанолистам, что позволяет значительно повысить энергоэффективность и плотность интеграции транзисторов. TSMC также представила новые высокопроизводительные конденсаторы (SHPMIM), которые улучшают энергоснабжение.
Компания запускает N2 на двух новых заводах, Fab 22 в Гаосюне и Fab 20 в Синьчжу. Генеральный директор TSMC, Вэй Чжэцзян, ранее сообщил, что проект успешно движется к массовому производству, что ожидается в ближайшие месяцы. Однако конкуренция с такими гигантами, как Samsung и Intel, продолжает нарастать в этой области.