Основным достижением 2-нм техпроцесса стала архитектура транзисторов Gate-All-Around (GAA), которая окружает канал со всех сторон. Это улучшение позволяет сократить утечки тока и повысить скорость работы на 10-15%, а также уменьшить энергопотребление на 25-30% по сравнению с 3-нм техпроцессом TSMC. Это особенно важно для серверов ИИ и мобильных устройств, где энергозатраты становятся критическим фактором.
Samsung применяет опыт GAA с 3-нм техпроцессом для создания SF2P с MBCFET-транзисторами, что дает возможность регулировать ширину нанолистов для достижения оптимальной производительности или минимального потребления энергии. К 2025 году компания планирует стабилизировать выход продукции на уровне 60% для процессоров Exynos 2600.
Переход к новым методам охлаждения, таким как жидкостное охлаждение, также становится необходимым из-за высокой плотности мощности. 2-нм техпроцесс позволит интегрировать высокоскоростную память HBM4 с пропускной способностью более 15 ТБ/с, что будет способствовать развитию автономных ИИ-агентов.
На рынке 2-нм чипов разразилась настоящая гонка: Apple уже заняла почти 50% мощностей TSMC, а Samsung активно сотрудничает с AMD и Google, предлагая более низкие цены на чипы. Ожидается, что первые коммерческие 2-нм ускорители ИИ появятся к середине 2026 года, что откроет новые горизонты для робототехники и автономного транспорта.