Samsung запускает массовое производство памяти HBM4

Samsung официально объявила о старте серийного производства и продаж памяти HBM4, став первой в мире компанией, которая вывела данную технологию на уровень реального продукта. Ключевым аспектом новинки стало применение передовой технологии 4-нм для логического слоя и 10-нм класса (1c) для чипов DRAM шестого поколения, что дало возможность добиться впечатляющих характеристик без кардинального изменения архитектуры устройства. Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с, с пиковыми значениями до 13 Гбит/с, а пропускная способность выросла до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает показания предшествующей HBM3E. Такие улучшения особенно важны для решения задач, связанных с обучением крупных языковых моделей ИИ. Несмотря на удвоенный объем контактов ввода-вывода (с 1024 до 2048), инженеры сумели повысить энергоэффективность на 40%. В начале продаж предлагаются модули объемом 24 и 36 ГБ (12-слойные), а будущие планы компании включают создание 16-слойных модулей объемом до 48 ГБ. Samsung прогнозирует резкий рост спроса на память, ожидая, что продажи HBM в 2026 году увеличатся более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. Кроме того, в планах — тестирование улучшенной версии HBM4E во второй половине 2026 года и запуск производства памяти, соответствующей конкретным требованиям клиентов, начиная с 2027 года.