Samsung начинает массовое производство памяти HBM4

Компания Samsung Electronics, ведущий игрок на рынке технологий, планирует запустить массовое производство нового поколения памяти HBM4 уже в следующем месяце. Главным потребителем этих высокоскоростных чипов станет Nvidia, которая нуждается в современном решении для своих будущих вычислительных ускорителей, включая ожидаемую серию Rubin. Этот шаг подчеркивает стремление Samsung улучшить свои позиции в конкурентной среде высокопропускной памяти, в противовес своему соотечественнику SK hynix, который в настоящее время занимает лидирующие позиции.
Память HBM, или High Bandwidth Memory, представляет собой уникальный тип DRAM с вертикально размещёнными чипами, что обеспечивает высокую пропускную способность при низком энергопотреблении — это особенно важно для современных ИИ-систем и суперкомпьютеров. Ожидается, что HBM4 предложит ещё более высокие скорости передачи данных и объем памяти по сравнению с HBM3E, что позволит обрабатывать сложные ИИ-модели. Важной частью подготовки к запуску стали квалификационные испытания, проведенные с участием таких клиентов, как Nvidia и AMD, что подтверждает готовность продукта к выходу на рынок. В то же время SK hynix также активно увеличивает свои производственные возможности, включая новый завод M15X, чтобы справиться с растущим спросом на память для ИИ-ускорителей.