Российская дорожная карта по экстремальной ультрафиолетовой литографии

Институт физики микроструктур Российской академии наук представил подробную дорожную карту по разработке отечественных систем экстремальной ультрафиолетовой литографии. Ожидается, что первая высокотехнологичная установка, способная производить процессоры и однокристальные системы с техпроцессом 10 нм и ниже, будет готова примерно через десять лет. В отличие от литографов ASML, российские машины будут использовать уникальные технологии, включая гибридные твердотельные лазеры и источники света на основе ксеноновой плазмы, что позволит избежать загрязнения фотошаблонов и снизить затраты на обслуживание. Дорожная карта включает три ключевых этапа: создание литографа для 40 нм (2026-2028 годы), разработка сканера для 14 нм (2029-2032 годы) и система для чипов менее 10 нм (2033-2036 годы). Каждое поколение литографов будет отличаться улучшенной оптической системой и более низкой стоимостью продукции по сравнению с аналогами от ASML.