Изменения в стандартах HBM4E: новые возможности для производителей памяти

Формируемая многослойная память HBM, являющаяся одной из самых быстрых на рынке, продолжает оставаться дорогостоящей и сложной в производстве. Как сообщает издание Business Korea, организация JEDEC планирует ослабить требования по высоте стека для HBM4E, что упростит жизнь производителям как текущего поколения, так и будущих. Согласно действующим стандартам, максимальная высота стека HBM3E составляет 720 мкм, а для HBM4 — 775 мкм. Однако для HBM4E ожидается увеличение этого предела до 900 мкм, что позволит разместить больше ярусов в одном стеке и тем самым увеличить его емкость. На данный момент современные микросхемы HBM3E имеют до 12 ярусов, но уже существуют образцы 16-ярусных чипов HBM3E и HBM4. Снижение требований к сложности производства также позволит уменьшить уровень брака и увеличить объем качественной продукции. Однако южнокорейские компании, такие как Samsung и SK hynix, которые уже выпускают продукцию выше стандартов JEDEC, могут столкнуться с усилением конкуренции, особенно со стороны китайских производителей.