Micron Technology объявила о своих планах инвестировать около $10 миллиардов в создание новой линии по производству памяти HBM в японском городе Хиросима. Эта инициатива направлена на удовлетворение растущего спроса на высокоскоростную память, которая необходима для ускорителей в сфере искусственного интеллекта. В отличие от более распространённых типов памяти, таких как DDR и GDDR, HBM приносит значительно большую прибыль. Однако, это также ведет к нехватке других модулей памяти, что, в свою очередь, может привести к росту их цен. Хотя Samsung также планирует увеличить производство DRAM, Micron сосредоточилась на более дорогой HBM. Начало строительства новой линии запланировано на следующий год, а массовое производство ожидается к 2028 году. На текущий момент Micron уже производит память LPDDR5x на своей японской фабрике, используя передовые технологии литографии EUV.
Опубликовано вНовости