Intel и Imec представили новую технологию 2D-транзисторов

На этой неделе Intel Foundry и Imec представили технологию производства 2D-полевых транзисторов (2DFET), соответствующую 300-миллиметровому масштабу. В отличие от предыдущих демонстраций, основанных на специализированных инструментах, новое решение готово к массовому производству. Современные техпроцессы, такие как Intel 18A и TSMC N2, используют транзисторы Gate-All-Around, но производители уже разрабатывают комплементарные полевые транзисторы (CFET) для увеличения плотности. Intel и Imec представили дихалькогениды переходных металлов, такие как WS2 и MoS2 для n-типа, и WSe2 для p-типа, которые, несмотря на сложность, теперь могут быть интегрированы в существующие технологические процессы. Нововведение заключается в создании масштабируемых контактов с низким сопротивлением, что позволит упростить разработку и производство микросхем с 2D-материалами в будущем, возможно, к 2030-м годам.