Intel делает шаг к производству двумерных транзисторов 2DFET

Intel сообщила о значительных успехах в разработке двумерных транзисторов 2DFET, толщина которых измеряется всего в несколько атомов. Хотя 2D-транзисторы исследуются более десяти лет, их интеграция в массовое производство оставалась сложной задачей. На этой неделе Intel Foundry и imec представили 300-миллиметровую интеграцию ключевых технологических модулей для 2DFET, демонстрируя реальность использования 2D-материалов. В процессе разработки использовались дихалькогениды переходных металлов, такие как WS₂, MoS₂ и WSe₂. Основной проблемой было обеспечить надежную интеграцию этих хрупких материалов в процесс производства. Intel и imec представили инновации, которые позволяют сохранить целостность 2D-каналов и создать низкоомные контакты, совместимые с существующими производственными процессами. Хотя коммерческое использование 2D-транзисторов ожидается не раньше второй половины 2030-х, работы Intel направлены на снижение рисков, что поможет в будущем производстве чипов с использованием 2D-материалов.